Esto, explica Intel, rompe una de las últimas barreras que quedaban en la producción de dispositivos fotónicos de silicio de alto ancho de banda con una tecnología que además permite abaratar los costes.
Los ingenieros combinaron fosfuro de indio y silicio en un solo procesador. Cuando se le transmite voltaje al dispositivo, se genera luz y la guía de ondas del silicio produce un rayo láser continuo.
El director del Laboratorio de Fotónica de Intel, Mario Paniccia, advirtió de que la tecnología aún estaba "lejos de ser aplicada comercialmente". Afirmó que no obstante, si las cosas van bien, se podrán implementar canales de comunicación ópticas con anchos de banda de un Terabit en los futuros ordenadores.
John Bowers, de la Universidad de Santa Bárbara, lo describió como una nueva estructura de láser que se puede utilizar tanto en la oblea como en un nivel intermedio de la oblea o a nivel de die. En ciertos aspectos el profesor Bowers parece más optimista que Intel acerca de la importancia de dicha tecnología.
No hay comentarios:
Publicar un comentario